西澤弘一郎氏（化学工学専攻 博士後期課程、三菱電機）、松本 歩助教、日坂隆行氏（三菱電機）、川合良和氏（三菱電機）、門岩 薫氏（三菱電機）、中村 勇氏（三菱電機）、市川 聡特任教授（大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター）、尾上和之氏（三菱電機）、小島善樹氏（三菱電機）、福室直樹准教授、八重真治教授の研究論文「Structure Evaluation of the Ni3GaAs Reaction Layer Formed on a GaAs(001) Substrate Using Transmission Electron Microscopy」が、米国物理学協会が発行するJournal of Applied PhysicsのFeatured Articleに選出されました
姫路工業倶楽部GaAs半導体デバイスの製造工程では、熱処理により生じるウエハ反りが課題となっています。我々はその原因として、GaAs基板と無電解Ni–Pめっき膜の界面に形成されるNi3GaAs反応層に着目してきました。本論文では、透過電子顕微鏡を用いて界面の結晶構造を詳細に解析し、Ni3GaAsがGaAs上にエピタキシャル成長して双晶が形成されること、結晶内に生じる引張ひずみがウエハ反りの原因であることを明らかにしました。論文URL: https://doi.org/10.1063/5.0303269
